Innovative DRAM Cell Featuring a Vertical Junctionless Pillar Access Transistor With a High Work-Function Molybdenum Nitride Metal Gate for Enhanced Performance and Efficiency

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标题	Innovative DRAM Cell Featuring a Vertical Junctionless Pillar Access Transistor With a High Work-Function Molybdenum Nitride Metal Gate for Enhanced Performance and Efficiency
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2025.3638315
DOI	10.1109/ted.2025.3638315 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Deyuan Xiao; Yi Jiang; Yunsong Qiu; Y.K. Zheng; Daohuan Feng; et al 出版日期：2026-01-12
求助人	白鹭在 2026-07-06 20:06:06 发布自江苏，悬赏 10 积分
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Institute for Operations Research and the Management Sciences

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