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 6.5 kV-Class 4H-SiC Deep Epi-Refilled Super-junction Schottky Diode with Record Performance over 7.2 GW/cm 2 相关领域
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Haoyuan Cheng; Hengyu Wang; C. Zhang; Jiangbin Wan; Han Wang; et al 出版日期：2026-01-01 |
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