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标题
Ionization Radiation-Induced Reliability Degradation of SiC Power MOSFET
电离辐射引起的SiC功率MOSFET可靠性退化
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随时间变化的栅氧化层击穿 MOSFET 材料科学 栅氧化层 量子隧道 氧化物 介电强度 俘获 泄漏（经济） 光电子学 撞击电离 电介质 电场 电离 化学 电气工程 电压 晶体管 物理 离子 有机化学 工程类 宏观经济学 生态学 冶金 量子力学 生物 经济
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3324281
DOI
10.1109/ted.2023.3324281 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Yiping Xiao; Chaoming Liu; Yanqing Zhang; Chunhua Qi; Guoliang Ma; et al
出版日期：2023-10-31
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Monowi 在 2025-12-06 08:29:24 发布自四川，悬赏 10 积分
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