Fast Heater-Based NBTI Resolves the Reverse Antenna Effect in PID-Degraded High- k and SiO 2 pMOSFETs

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标题	Fast Heater-Based NBTI Resolves the Reverse Antenna Effect in PID-Degraded High- k and SiO 2 pMOSFETs
备注	需正式版非预印版 💡 该求助存在备注，如果存在信息冲突，请以备注为准
网址	http://dx.doi.org/10.1109/tdmr.2026.3683485
DOI	10.1109/tdmr.2026.3683485 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Benjamin H. Stafford; Andreas Martin 出版日期：2026-09-01
求助人	diraczh 在 2026-10-15 15:27:46 发布自中国，悬赏 10 积分
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