GaN High‐Electron‐Mobility Transistors with Superconducting Nb Gates for Low‐Noise Cryogenic Applications

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标题	GaN High‐Electron‐Mobility Transistors with Superconducting Nb Gates for Low‐Noise Cryogenic Applications 用于低噪声低温应用的具有超导Nb栅极的GaN高电子迁移率晶体管
网址	https://doi.org/10.1002/pssa.202200468
DOI	10.1002/pssa.202200468 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Mohamed Aniss Mebarki; Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo; Alexey Pavolotsky; Denis Meledin; Erik Sundin; et al 出版日期：2022
求助人	Codong 在 2025-12-05 13:51:36 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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