| 标题 |
GaN High‐Electron‐Mobility Transistors with Superconducting Nb Gates for Low‐Noise Cryogenic Applications 用于低噪声低温应用的具有超导Nb栅极的GaN高电子迁移率晶体管
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:physica status solidi (a) 作者:Mohamed Aniss Mebarki; Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo; Alexey Pavolotsky; Denis Meledin; Erik Sundin; et al 出版日期:2022 |
| 求助人 | |
| 下载 |