Demonstration of the p-NiOx/n-Ga2O3 Heterojunction Gate FETs and Diodes With BV2/Ron,sp Figures of Merit of 0.39 GW/cm2 and 1.38 GW/cm2

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标题	Demonstration of the p-NiOx/n-Ga2O3 Heterojunction Gate FETs and Diodes With BV2/Ron,sp Figures of Merit of 0.39 GW/cm2 and 1.38 GW/cm2
网址	http://dx.doi.org/10.1109/led.2021.3062851
DOI	10.1109/led.2021.3062851 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Chenlu Wang; Hehe Gong; Weina Lei; Yuncong Cai; Zhuangzhuang Hu; et al 出版日期：2021-04-01
求助人	水怪啊在 2026-08-05 19:13:56 发布自德国，悬赏 10 积分
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