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 Impact of SiO2 hardmask on the DC and RF characteristics of InP HEMTs SiO2硬掩模对InP HEMTs直流和射频特性的影响
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期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics 作者：Fugui Zhou; Ruize Feng; Shurui Cao; Zhiyu Feng; Tong Liu; et al 出版日期：2023-10-01 |
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席慕容
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