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A Comparative Study of Different Physics-Based NBTI Models 相关领域
负偏压温度不稳定性
俘获
占空比
绝缘体(电)
接口(物质)
材料科学
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MOSFET
光电子学
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最大气泡压力法
气泡
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Souvik Mahapatra; Nilesh Goel; S. Desai; Shashank Gupta; B. Jose; et al 出版日期:2013-01-22 |
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