Incorporation of boron in SiGe(C) epitaxial layers grown by reduced pressure chemical vapor deposition

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标题	Incorporation of boron in SiGe(C) epitaxial layers grown by reduced pressure chemical vapor deposition
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.074
DOI	10.1016/j.mssp.2004.09.074 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：J. Hållstedt; A. Parent; M. Östling; H.H. Radamson 出版日期：2005-02-01
求助人	善良高山在 2026-10-28 21:09:54 发布自北京，悬赏 10 积分
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