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 Gate trench dry etching technology with damage blocking layer for GaN HEMT devices GaN HEMT器件带损伤阻挡层的栅极沟槽干法刻蚀技术
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期刊：Vacuum 作者：Jie-He Guo; Wei Ke; Sheng Zhang; Xiaoqiang He; Yichuan Zhang; et al 出版日期：2024-05-21 |
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