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标题
Metal-interconnection-free integration of InGaN/GaN light emitting diodes with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
InGaN/GaN发光二极管与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的无金属互连集成
相关领域
光电子学 材料科学 高电子迁移率晶体管 发光二极管 晶体管 二极管 外延 互连 氮化镓 宽禁带半导体 电子迁移率 图层（电子） 电气工程 纳米技术 计算机科学 电压 电信 工程类
网址
https://doi.org/10.1063/1.4921049
DOI
10.1063/1.4921049 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Chao Liu; Yuanjing Cai; Zhaojun Liu; Jun Ma; Kei May Lau
出版日期：2015-05-04
求助人
科研cc 在 2025-05-22 10:20:45 发布自福建，悬赏 10 积分
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