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  The Investigation of Carrier Leakage Mechanism Based on ABC-Models in InGaN/GaN MQW and Its Effect on Internal Quantum Efficiency under Optical Excitation 基于ABC模型的InGaN/GaN MQW载流子泄漏机制及其对光激发下内量子效率的影响
相关领域
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激发
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期刊：Crystals 作者：Yuhao Ben; Feng Liang; Degang Zhao; Jing Yang; Ping Chen; et al 出版日期：2022-01-25 |
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