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Si-cap-free SiGe p-channel FinFETs and gate-all-around transistors in a replacement metal gate process: Interface trap density reduction and performance improvement by high-pressure deuterium anneal |
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期刊:2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology) 作者:H. Mertens; R. Ritzenthaler; H. Arimura; J. Franco; F. Sebaai; et al 出版日期:2015 |
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(2025-6-4)