A Superior SiC Lateral MOSFET with Patterned P-Bury Layer Made on N-Type Wafers

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标题	A Superior SiC Lateral MOSFET with Patterned P-Bury Layer Made on N-Type Wafers
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10830918/10830923/108312...
DOI	10.1109/icsict62049.2024.10831292 doi
其它	期刊：2024 IEEE 17th International Conference on Solid-State &amp; Integrated Circuit Technology (ICSICT) 作者：Xuke Yan; Junji Cheng; Xiaojun Fu; Bo Yi; Haimeng Huang; Hongqiang Yang 出版日期：2025-01-17
求助人	俏皮秋尽在 2026-06-08 18:14:54 发布自江苏，悬赏 10 积分
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