| 标题 |
 Epitaxial growth of highly stacked SiGe(:B)/Si multilayers without strain relaxation for vertically stacked device applications 相关领域
材料科学
外延
亚稳态
拉伤
光电子学
化学气相沉积
硼
放松（心理学）
制作
兴奋剂
应力松弛
半导体
微观结构
凝聚态物理
硅
薄膜
透射电子显微镜
变形（气象学）
基质（水族馆）
金属有机气相外延
电子迁移率
动力学蒙特卡罗方法
结晶学
高分辨率透射电子显微镜
纳米结构
应变工程
纳米技术
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Today 作者：Dongmin Yoon; Seonwoong Jung; Hyerin Shin; Seokmin Oh; Jungwoo Kim; et al 出版日期：2025-12-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
Kao
cdercder
Criminology34
Nole
伶俐妙海
Copyright
yjh123
OK
sagitar
蓝天
学术文献互助
GingerF
初景
老胡
avalanche
aaaa
愉快的真
追寻向彤
arniu2008
皖公网安备34019202002308
