Experimental and numerical analysis of the multi-recessed gate structure for microwave silicon carbide power MESFETs

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标题	Experimental and numerical analysis of the multi-recessed gate structure for microwave silicon carbide power MESFETs
网址	https://doi.org/10.1088/1674-1056/18/7/067
DOI	10.1088/1674-1056/18/7/067 doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Deng Xiao-Chuan; Feng Zhen; Zhang Bo; Li Zhao-Ji; Li Liang; Pan Hong-Shu 出版日期：2009-07-09
求助人	qcpassed 在 2026-04-28 22:25:16 发布自陕西，悬赏 10 积分
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