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标题
Reduction in density of interface traps determined by C-V analysis in III-nitride-based MOSHFET structure
III-氮化物基MOSHFET结构中C-V分析界面陷阱密度的降低
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异质结 材料科学 氧化物 外延 氮化镓 光电子学 氮化物 金属 宽禁带半导体 图层（电子） 分析化学（期刊） 晶体管 金属有机气相外延 半导体 镓 原位 电荷密度 化学 纳米技术 冶金 色谱法 量子力学 有机化学 电压 物理
网址
https://doi.org/10.1063/5.0193603
DOI
10.1063/5.0193603 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Samiul Hasan; Mohi Uddin Jewel; Scott Crittenden; Md. Ghulam Zakir; Nifat Jahan Nipa; et al
出版日期：2024-03-11
求助人
科目三 在 2025-12-05 18:51:28 发布自青海，悬赏 10 积分
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