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CoSi/sub 2/ integrated fuses on poly silicon for low voltage 0.18 μm CMOS applications 相关领域
保险丝(电气)
CMOS芯片
电压
可制造性设计
可靠性(半导体)
电气工程
低压
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硅
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功率(物理)
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期刊:International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318) 作者:A. Kalnitsky; I. Saadat; A. Bergemont; P. Francis 出版日期:暂无 |
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(2025-6-4)