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 TCAD Simulation of the Effect of Buffer Layer Parameters on Single Event Burn-Out in p-GaN Gate HEMTs 相关领域
高电子迁移率晶体管
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ga Zhang; Shenglei Zhao; Zhizhe Wang; Xiufeng Song; Shuang Liu; et al 出版日期：2024-07-01 |
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