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标题
Reliability Assessment Of AlGaN/GaN HEMTs on the SiC Substrate Under the RF Stress
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DOI
10.1109/TPEL.2020.3042133 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Power Electronics
作者:Niemat Moultif; Olivier Latry; Eric Joubert; Mohamed Ndiaye; Christian Moreau; et al
出版日期:2021
求助人
829302yft 在 2026-03-17 22:21:01 发布自上海,悬赏 10 积分
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