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 Trade-off between gate leakage current and threshold voltage stability in power HEMTs during ON-state and OFF-state stress 功率HEMT在导通和关断应力期间栅极泄漏电流和阈值电压稳定性之间的权衡
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：D. Favero; Carlo De Santi; A. Stockman; A. Nardo; P. Vanmeerbeek; et al 出版日期：2023-10-01 |
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