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 Effect of in-situ ozone annealing on top-gate atomic layer deposited InZnOx channel thin-film transistors on various underlying dielectric layers 相关领域
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Guan-Han Lin; Yixiao Li; Yu Chen; Henglong Yang; Chien-Wei Chen; et al 出版日期：2025-10-24 |
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