| 标题 |
 Research on High Threshold Voltage, High Output Current and Low Gate Leakage Current p-GaN and Grooved Gate Composite Gate HEMT with N-Well and AlGaN–GaN–AlGaN Double Barrier Cap Layer 相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
饱和电流
晶体管
逻辑门
泄漏（经济）
场效应晶体管
排水诱导屏障降低
随时间变化的栅氧化层击穿
阻挡层
和大门
阈值电压
电压
门驱动器
击穿电压
栅氧化层
电气工程
饱和（图论）
兴奋剂
电流（流体）
热传导
电子工程
异质结
频道（广播）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Li-E Cai; Yi-Fei Chen; Zhi-Yu Ma; Xiang-Yu Liu; Chuan-Tao Sun; et al 出版日期：2025-11-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Alex
Hayat
潇洒的惋清
GPTea
OK
嘉心糖
Copyright
无极微光
Kao
Rita
核桃
初景
三毛不流浪
失眠水瑶
傲娇的又晴
Nole
皖公网安备34019202002308
