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![]() 基于具有环绕SiGe沟道的新型三栅极纳米片RFET的1T-DRAM的评估
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Xinyu Zou; Fuxing Gong; Mengge Jin; Han Jiang; Xiaojin Li; et al 出版日期:2025-01-01 |
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