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 A 3-nm FinFET 27.6-Mbit/mm2 Single-Port 6T SRAM Enabling 0.48–1.2 V Wide Operating Range With Far-End Pre-Charge and Weak-Bit Tracking 3纳米FinFET 27.6 Mbit/mm2单端口6T SRAM，支持0.48-1.2 V宽工作范围，具有远端预充电和弱比特跟踪
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期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者：Y. Aoyagi; Koji Nii; Makoto Yabuuchi; Tomotaka Tanaka; Yuichiro Ishii; et al 出版日期：2024-02-09 |
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