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OFF-State Leakage Suppression in Vertical Electron–Hole Bilayer TFET Using Dual-Metal Left-Gate and N+-Pocket 利用双金属左栅和N+口袋抑制垂直电子-空穴双层TFET的关态泄漏
相关领域
泄漏(经济)
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期刊:Materials 作者:Hu Liu; Wenting Zhang; Zaixing Wang; Yao Li; Huawei Zhang 出版日期:2022-10-06 |
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