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 GaN-based power high-electron-mobility transistors on Si substrates: from materials to devices 硅衬底上GaN基功率高电子迁移率晶体管：从材料到器件
相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
功率半导体器件
氮化镓
制作
晶体管
工程物理
电子迁移率
数码产品
电力电子
电气工程
纳米技术
图层（电子）
电压
医学
替代医学
病理
工程类
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| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Nengtao Wu; Zhiheng Xing; Shanjie Li; Luo Ling; Fanyi Zeng; et al 出版日期：2023-04-25 |
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