| 标题 |
  Breaking the p-type doping barrier in β-Ga2O3: a GaN-based heterojunction bipolar transistor with high gain, high breakdown, and RF capability 相关领域
材料科学
异质结双极晶体管
光电子学
功勋
截止频率
双极结晶体管
兴奋剂
异质结
晶体管
降级（电信）
异质发射极双极晶体管
电流（流体）
半导体
功率（物理）
电压
功率半导体器件
电流密度
基础（拓扑）
无线电频率
半导体器件
击穿电压
电气工程
电子迁移率
功率密度
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期刊：RSC Advances 作者：Phuc Hong Than; Tho Quang Than; Yasushi Takaki 出版日期：2025-01-01 |
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