Theoretical analysis of 4H-SiC/SiO 2 interface structures and band alignments: effects of NO annealing

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标题	Theoretical analysis of 4H-SiC/SiO 2 interface structures and band alignments: effects of NO annealing
网址	http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ae376d
DOI	10.35848/1347-4065/ae376d doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Naoto Ise; Toru Akiyama; Tetsuo Hatakeyama; Kenji Shiraishi; Takashi Nakayama 出版日期：2026-02-06
求助人	Rex 在 2026-10-06 13:24:07 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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