标题 |
![]() 探索先进铜互连中钴衬里厚度的极限
相关领域
电迁移
材料科学
铜互连
随时间变化的栅氧化层击穿
原子层沉积
物理气相沉积
钴
电介质
图层(电子)
沉积(地质)
可靠性(半导体)
化学气相沉积
光电子学
铜
介电强度
复合材料
电子工程
薄膜
冶金
电气工程
纳米技术
栅极电介质
晶体管
电压
功率(物理)
古生物学
工程类
物理
生物
量子力学
沉积物
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Nicholas A. Lanzillo; K. Choi; C.-C. Yang; K. Motoyama; Huai Huang; et al 出版日期:2019-11-01 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|