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  Effect of strain profiling on anisotropic opto-electronic properties of As2X3 (X =S, Te) monolayers from first principles 相关领域
单层
材料科学
各向异性
范德瓦尔斯力
应变工程
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期刊：Frontiers in Materials 作者：Eesha Andharia; Hind Alqurashi; Ihsan Erikat; Bothina Hamad; M. O. Manasreh 出版日期：2024-01-11 |
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