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 1200-V/10-A Low Thermal Resistance Ga2O3 Schottky Barrier Diode With Composite Terminal Structure and Substrate Thinning 具有复合端子结构和衬底减薄的1200-V/10-A低热阻Ga2O3肖特基势垒二极管
相关领域
材料科学
光电子学
终端（电信）
肖特基势垒
基质（水族馆）
二极管
肖特基二极管
复合数
热阻
扩展阻力剖面
热的
电气工程
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电信
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhihong Feng; Shida Han; Yuangang Wang; Hongyu Guo; Shaobo Dun; et al 出版日期：2025-01-01 |
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(2025-6-4)
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