| 标题 |
 1200-V/10-A Low Thermal Resistance Ga2O3 Schottky Barrier Diode With Composite Terminal Structure and Substrate Thinning 具有复合端子结构和衬底减薄的1200-V/10-A低热阻Ga2O3肖特基势垒二极管
相关领域
材料科学
光电子学
终端（电信）
肖特基势垒
基质（水族馆）
二极管
肖特基二极管
复合数
热阻
扩展阻力剖面
热的
电气工程
复合材料
硅
工程类
电信
物理
地质学
气象学
海洋学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhihong Feng; Shida Han; Yuangang Wang; Hongyu Guo; Shaobo Dun; et al 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
小花排草
不想干活
矛头蝮
乐乐乐乐乐乐
Serendipity
CAOHOU
飲啖茶食個包
8R60d8
xzy998
MMMMM
ED
坦率的匪
老迟到的丹雪
22222
eric888
yydragen
挖掘机
聪慧小霜
HZQ
Wind
皖公网安备34019202002308
