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标题
Impacts of different thickness Al2O3 and SiO2 atomic layer deposition sidewall passivation for GaN-based micro-LEDs
相关领域
材料科学 钝化 原子层沉积 发光二极管 图层（电子） 光电子学 沉积（地质） 宽禁带半导体 纳米技术 沉积物 生物 古生物学
网址
https://doi.org/10.1116/6.0004768
DOI
10.1116/6.0004768 doi
其它 期刊：Journal of vacuum science and technology
作者：Zongmin Lin; Jinhua Zhang; Shaohang Cai; Meixiu Wan; Hui Xiong; et al
出版日期：2025-09-01
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Even_YE 在 2025-11-10 17:55:59 发布自山西，悬赏 10 积分
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