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 Simulation and analysis of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT with P-I-N junction gate P-I-N结栅增强型AlGaN/GaN HEMT的模拟与分析
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
模式（计算机接口）
电气工程
晶体管
计算机科学
工程类
电压
操作系统
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期刊：Journal of Physics D 作者：Mao Jia; Bin Hou; Ling Yang; Meng Zhang; Qingyuan Chang; et al 出版日期：2024-03-25 |
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