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标题
Effect of doping on transport properties of InSb epilayers grown by MOCVD and MBE
掺杂对MOCVD和MBE生长InSb外延层输运性能的影响
相关领域
金属有机气相外延 兴奋剂 材料科学 光电子学 外延 化学 纳米技术 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2024.117424
DOI
10.1016/j.mseb.2024.117424 doi
其它 期刊：Materials Science and Engineering B
作者：M. Güneş; Murat Aydın; Ömer Dönmez; C. Gümüş; Ayşe Erol; et al
出版日期：2024-05-16
求助人
空辰 在 2025-08-18 16:50:22 发布，悬赏 10 积分
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