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 Effect of doping on transport properties of InSb epilayers grown by MOCVD and MBE 掺杂对MOCVD和MBE生长InSb外延层输运性能的影响
相关领域
金属有机气相外延
兴奋剂
材料科学
光电子学
外延
化学
纳米技术
图层（电子）
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期刊：Materials Science and Engineering B 作者：M. Güneş; Murat Aydın; Ömer Dönmez; C. Gümüş; Ayşe Erol; et al 出版日期：2024-05-16 |
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