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[高分]
 Impact of Back Barrier with Back Gate on Device Performance of AlGaN/GaN DG-HEMT 背栅背势垒对AlGaN/GaN DG-HEMT器件性能的影响
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
电气工程
晶体管
工程类
电压
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期刊：Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 作者：Aboo Bakar Khan; M. J. Siddiqui 出版日期：2019-05-01 |
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