Investigation of SiC Trench MOSFETs’ Reliability under Short-Circuit Conditions

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标题	Investigation of SiC Trench MOSFETs’ Reliability under Short-Circuit Conditions SiC沟槽MOSFET在短路条件下的可靠性研究相关领域沟槽材料科学 MOSFET 热失控碳化硅电压可靠性（半导体）光电子学失效模式及影响分析电气工程工程类复合材料晶体管电池（电）功率（物理）物理图层（电子）量子力学
网址	https://www.mdpi.com/1996-1944/15/2/598/pdf?version=16424283...
DOI	10.3390/ma15020598 doi
其它	期刊：Materials 作者：Yuan Zou; Jue Wang; Hongyi Xu; Hengyu Wang 出版日期：2022-01-13
求助人	moyueeer 在 2025-04-03 03:10:00 发布自美国，悬赏 10 积分
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