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 Design and Performance Investigation of a Dual p-GaN Recessed Gate High Electron Mobility Transistors for High Threshold Voltage Applications 相关领域
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期刊：Semiconductors 作者：H. Bhattacharjee; J. Chowdhury; A. Dey; Preetisudha Meher 出版日期：2026-05-01 |
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