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标题
Threshold Voltage Recovery Time Measurement Technique Post VTH Instability in Normally-Off p-Gate GaN High Electron Mobility Transistors
常闭p栅GaN高电子迁移率晶体管VTH后阈值电压恢复时间测量技术
相关领域
阈值电压 光电子学 晶体管 材料科学 不稳定性 电子迁移率 栅极电压 负偏压温度不稳定性 电压 电气工程 物理 工程类 机械
网址
https://doi.org/10.3390/electronics13204118
AI链接 doi.orgdoi.org
DOI
10.3390/electronics13204118 doi
其它 期刊：Electronics
作者：Karthick Murukesan; Florin Udrea
出版日期：2024-10-18
求助人
Oliver 在 2025-12-04 15:36:48 发布自江苏，悬赏 10 积分
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