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  A Wideband True Time Delay Circuit Using 0.25 µm GaN HEMT Technology 采用0.25µm GaN HEMT技术的宽带真延时电路
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期刊：Sensors 作者：Jeong Geun Kim; Donghyun Baek; Jeong Geun Kim; Donghyun Baek 出版日期：2023-07-31 |
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