| 标题 |
 Impact of mask absorber geometry on imaging stability in extreme-ultraviolet lithography with high numerical aperture 相关领域
光学
材料科学
数值孔径
极紫外光刻
光圈（计算机存储器）
灵敏度（控制系统）
平版印刷术
相（物质）
制作
光学（聚焦）
折射率
散射
几何光学
焦点深度（构造）
过程（计算）
振幅
摩尔吸收率
图像质量
表征（材料科学）
光刻
理论（学习稳定性）
相位对比成像
衍射
衰减系数
相位调制
光掩模
空间频率
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| DOI |
10.1117/1.jmm.25.4.044401
doi
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| 其它 |
期刊：Journal of Micro/Nanopatterning, Materials, and Metrology 作者：Seung-Ho Lee; Seung-Chan Lee; Jiwon Kim; H. Jung; Taeho Lee; et al 出版日期：2026-10-22 |
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(2025-6-4)
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