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 Dynamic RON Degradation Suppression by Gate Field Plate in Partially Recessed AlGaN/GaN Metal–Insulator–Semiconductor High‐Electron‐Mobility Transistors 部分凹陷AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管中栅极场板对动态RON退化的抑制
相关领域
材料科学
光电子学
晶体管
半导体
降级（电信）
绝缘体（电）
金属
电子
高电子迁移率晶体管
场效应晶体管
宽禁带半导体
感应高电子迁移率晶体管
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Ye Liang; Xiuyuan He; Feng Xi; Yuanlei Zhang; Jie Zhang; et al 出版日期：2024-06-11 |
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