Mist-chemical vapor deposition grown Ge-doped α-Ga2O3 thin films with high electron mobility

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标题	Mist-chemical vapor deposition grown Ge-doped α-Ga2O3 thin films with high electron mobility
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.03083...
DOI	10.1063/5.0308320 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Takeru Wakamatsu; Hirokazu Izumi; Hitoshi Tanake; Yuki Isobe; Kentaro Kaneko; Katsuhisa Tanaka 出版日期：2026-01-07
求助人	学术小白在 2026-03-02 10:39:45 发布自天津，悬赏 10 积分
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