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 Effect of Proton Irradiation on the Properties of High-Voltage Integrated 4H-SiC Schottky Diodes at Operating Temperatures 质子辐照对高压集成4H-SiC肖特基二极管工作温度下性能的影响
相关领域
肖特基二极管
辐照
二极管
光电子学
质子
材料科学
电压
工程物理
电气工程
核物理学
物理
工程类
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期刊：Semiconductors 作者：A. A. Lebedev; В. В. Козловский; M. E. Levinshteĭn; D. А. Malevskii; G. A. Oganesyan 出版日期：2023-02-01 |
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