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标题
[高分] Infrared photocarrier radiometry with dc sub-bandgap optical bias: Sensitivity enhancement in the detection of deep subsurface electronic defects in Si wafers
直流亚带隙光偏压红外光载流子辐射测量：提高硅晶片深亚表面电子缺陷检测的灵敏度
相关领域
红外线的 辐射测量 材料科学 光电子学 薄脆饼 灵敏度（控制系统） 带隙 光学 物理 电子工程 工程类
网址
https://doi.org/10.1051/jp4:2005125128
AI链接 journaldephysique.orgdoi.org
DOI
10.1051/jp4:2005125128 doi
其它 期刊：Journal de Physique IV (Proceedings)
作者：José Eduardo Batista; Andreas Mandelis; Derrick Shaughnessy; B. Li
出版日期：2005-06-01
求助人
gcy 在 2025-05-23 22:15:09 发布自广东，悬赏 50 积分
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