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标题
Bias-dependent electron velocity and short-channel effect in scaling sub-100 nm InAlN/GaN HFETs
亚100 nm InAlN/GaN HFETs定标中的偏压相关电子速度和短沟道效应
相关领域
材料科学 缩放比例 宽禁带半导体 光电子学 凝聚态物理 电子 物理 数学 几何学 量子力学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0196746
AI链接 aip.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0196746 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Mingyan Wang; Heng Zhou; Chao Liu; Zhaojun Lin; Yuping Zeng; et al
出版日期：2024-04-08
求助人
没头脑 在 2025-05-21 21:15:10 发布自山东，悬赏 10 积分
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