Layout optimization and trade-off between 193i and EUV-based patterning for SRAM cells to improve performance and process variability at 7nm technology node

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标题	Layout optimization and trade-off between 193i and EUV-based patterning for SRAM cells to improve performance and process variability at 7nm technology node
网址	https://doi.org/10.1117/12.2086100
DOI	10.1117/12.2086100 doi
其它	期刊：SPIE Proceedings 作者：Sushil Sakhare; Darko Trivkovic; Tom Mountsier; Min-Soo Kim; Dan Mocuta; et al 出版日期：2015-03-19
求助人	啤酒人在 2026-04-01 11:26:28 发布自安徽，悬赏 20 积分
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