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 Gate Damages Induced in SiC Power MOSFETs During Heavy-Ion Irradiation—Part II 重离子辐照中SiC功率MOSFET的栅极损伤。第二部分
相关领域
栅氧化层
材料科学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：C. Abbate; G. Busatto; D. Tedesco; A. Sanseverino; F. Velardi; et al 出版日期：2019-08-22 |
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