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Quasi-2-D Physical Modeling of GaN Microwave HEMTs for RF Applications
用于射频应用的GaN微波HEMT的准二维物理模型
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网址
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3209643
DOI
10.1109/ted.2022.3209643 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Morgan G. Carpenter; Peter H. Aaen; C.M. Snowden
出版日期：2022-10-10
求助人
lim 在 2025-12-05 18:17:18 发布自湖北，悬赏 10 积分
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