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标题
Control of epilayer thickness during epitaxial growth of high Ge content strained Ge/SiGe multilayers by RP-CVD
网址
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2010.10.133 doi
其它 期刊:Journal of Crystal Growth
作者:M. Myronov; Xue-Chao Liu; A. Dobbie; D.R. Leadley
出版日期:2010-10-27
求助人
William 在 2026-01-28 23:15:42 发布自北京,悬赏 10 积分
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