Control of epilayer thickness during epitaxial growth of high Ge content strained Ge/SiGe multilayers by RP-CVD

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标题	Control of epilayer thickness during epitaxial growth of high Ge content strained Ge/SiGe multilayers by RP-CVD
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002202481...
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2010.10.133 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：M. Myronov; Xue-Chao Liu; A. Dobbie; D.R. Leadley 出版日期：2010-10-27
求助人	William 在 2026-01-28 23:15:42 发布自北京，悬赏 10 积分
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